Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A

TK560P60Y,RQ
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7 A

560 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

14.5 nC

- 55 C

+ 150 C

60 W

Enhancement

DTMOSV

Reel, Cut Tape, MouseReel

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TK290A60Y,S4X
Toshiba
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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11.5 A

290 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

25 nC

- 55 C

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35 W

Enhancement

DTMOSV

Tube

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TK380P60Y,RQ
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600 V

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DTMOSV

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11.5 A

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DTMOSV

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11.5 A

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DTMOSV

Tube

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N-Channel

1 Channel

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11.5 A

290 mOhms

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4 V

25 nC

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7 A

560 mOhms

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9.7 A

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9.7 A

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4 V

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