Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

Resultados: 60
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 11A Si MOSFET
Hoja de datos
363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
130En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
307En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 20A Si MOSFET
Hoja de datos
153En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET
Hoja de datos
495En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
1,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
365En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 24A Si MOSFET
Hoja de datos
47En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
138En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 85 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 15A Si MOSFET
Hoja de datos
366Se espera el 08/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 4A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 7A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 9A Si MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel