Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies is introducing its leading OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs technology with remarkably low on-state resistance, reduced switching losses, and enhanced ruggedness. OptiMOS 7 redefines the landscape of automotive power MOSFETs. The OptiMOS 7 MOSFET technology from Infineon establishes a new standard for automotive applications, allowing performance and efficiency while addressing the challenges of tomorrow's automotive systems.

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Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7L050HATMA1
Infineon Technologies
1: $1.77
232En existencias
5,000Se espera el 02/04/2027
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L050HATMA1

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726-IAUCN04S7L050HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,000Se espera el 02/04/2027

Cinta cortada

$1.77

$1.13

$0.75

$0.605

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Envase tipo carrete

$0.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

65 A

5.04 mOhms

20 V

1.8 V

11 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L053DATMA1
Infineon Technologies
1: $1.76
29En existencias
10,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L053DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L053DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Cinta cortada

$1.76

$1.12

$0.746

$0.601

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Envase tipo carrete

$0.457

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N030ATMA1
Infineon Technologies
1: $0.77
218En existencias
25,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N030ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N030ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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218En existencias

25,000En pedido

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$0.77

$0.546

$0.519

$0.449

$0.382

Envase tipo carrete

$0.327

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

3.02 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N054HATMA1
Infineon Technologies
1: $1.80
43En existencias
5,000Se espera el 07/16/2026
Nuevo producto

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IAUCN04S7N054HATMA1

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726-IAUCN04S7N054HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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5,000Se espera el 07/16/2026

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$1.80

$1.13

$0.75

$0.605

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Envase tipo carrete

$0.46

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

62 A

5.41 mOhms

20 V

3 V

9 nC

- 55 C

+ 175 C

40 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N020ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.53
44,996En pedido

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IAUCN04S7N020ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N020ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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$0.646

$0.507

$0.446

Envase tipo carrete

$0.377

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

139 A

2.05 mOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

IAUCN08S7N013ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.33
34,990En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N013ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N013ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

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Cinta cortada

$4.33

$2.85

$2.08

$1.87

$1.82

Envase tipo carrete

$1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

274 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N008AUMA1
Infineon Technologies
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4,000Se espera el 02/16/2026
Nuevo producto

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IAUAN04S7N008AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N008AUM

Nuevo producto

Infineon Technologies

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4,000Se espera el 02/16/2026

Cinta cortada

$2.99

$1.94

$1.43

$1.20

$1.11

Envase tipo carrete

$0.943

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

HSOF-5-2

N-Channel

1 Channel

40 V

290 A

820 uOhms

- 20 V, 20 V

3 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

133 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N004ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.52
11,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N004ATMA1

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726-IAUCN04S7N004ATM

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Cinta cortada

$3.52

$2.30

$1.71

$1.45

$1.39

Envase tipo carrete

$1.18

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

40 V

518 A

550 uOhms

- 20 V, 20 V

2.6 V

169 nC

- 55 C

+ 175 C

219 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
1: $3.54
10,000En pedido
Nuevo producto

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IAUCN04S7N006TATMA1

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726-IAUCN04S7N006TAT

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Infineon Technologies

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Cinta cortada

$3.54

$2.32

$1.73

$1.47

$1.41

Envase tipo carrete

$1.22

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

SMD/SMT

PG-LHDSO-10-3

N-Channel

1 Channel

40 V

425 A

770 uOhms

20 V

3 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N024DATMA1
Infineon Technologies
1: $2.47
5,000Se espera el 02/26/2026
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IAUCN04S7N024DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024DAT

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Cinta cortada

$2.47

$1.58

$1.08

$0.894

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS™ 7 Automotive Power MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
82 A
84 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A
139 A
144 A
154 A

390 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
590 uOhms
600 uOhms
630 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
820 uOhms
910 uOhms
960 uOhms
1.13 mOhms
1.2 mOhms
1.25 mOhms
1.26 mOhms
1.3 mOhms
1.43 mOhms
1.53 mOhms

9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
18 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
31 nC
34 nC
35.2 nC
36 nC
42 nC
44.3 nC

40 W
45 W
50 W
52 W
58 W
65 W
75 W
83 W
88 W
94 W
98 W
105 W
118 W
129 W
133 W
148 W
149 W
157 W
164 W
169 W