Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
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SMD/SMT

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1 Channel

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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SMD/SMT

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Enhancement

OptiMOS

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

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25 V

338 A

680 uOhms

16 V

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+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.74
5,180En existencias
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH80NE2LM7UCGS

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$0.841

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Mult.: 1

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N-Channel

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25 V

282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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1: $2.57
4,472En existencias
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH84NE2LM7UCGA

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5,800Se espera el 05/28/2026
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