GWA40MS120DF4AG

STMicroelectronics
511-GWA40MS120DF4AG
GWA40MS120DF4AG

Fabricante:

Descripción:
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a

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Cantidad Precio unitario
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$6.59 $6.59
$3.31 $33.10
$3.30 $396.00
$2.84 $1,448.40
$2.74 $2,794.80
5,010 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
1.2 kV
1.95 V
20 V
80 A
536 W
- 55 C
+ 175 C
AEC-Q101
Tube
Marca: STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector: 80 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 250 nA
Tipo de producto: IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: IGBTs
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Atributos seleccionados: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

GWA40MS120DF4AG Automotive-grade MS Series IGBT

STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automotive-grade MS Series IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. This IGBT, part of the MS series, is designed explicitly for inverter systems. Its outstanding short-circuit capability at high bus voltages makes it ideal for such applications. Also, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution contribute to safer paralleling operations. The GWA40MS120DF4AG automotive-grade IGBT features a 1200V collector-emitter voltage (VGE=0V), 40A continuous collector current (TC=100°C), and a 120A pulse forward current. This IGBT comes in a TO-247 long leads package and operates within the -55°C to 175°C temperature range. Typical applications include auxiliary loads, thermal management, and PTC heaters.