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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
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Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 30 V 240 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 104 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
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Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 89 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,DFN5060
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Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 49 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape