MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor ofrecen una salida de un solo canal con voltaje de drenaje a fuente de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 cuentan con una temperatura en funcionamiento de -55° C a 150° C y opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W o 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

Resultados: 56
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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1,966En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET
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1,992En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 9A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3,689En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 155 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 11A N-CH MOSFET
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1,933En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 24A N-CH MOSFET
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1,995En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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3,955En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 85 nC - 55 C + 155 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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1,000En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
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6,712En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
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7,443En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
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7,142En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
7,655En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
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2,415En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
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4,936En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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1,869En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
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1,951En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
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996En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
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990En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
778En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 258A N-CH MOSFET
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487En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
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3,457En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
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2,376En existencias
4,000Se espera el 12/16/2026
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
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965En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
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996En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 650V 60A N-CH MOSFET
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366En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 66A N-CH MOSFET
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581En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube