NX6008NBK N-channel Trench MOSFETs

Nexperia NX6008NBK N-channel Trench MOSFETs are designed for fast switching actions and feature low threshold voltage. These MOSFETs operate at 60V drain-source voltage (VDS), 8V maximum gate-source voltage (VGS), and -55°C to 150°C junction temperature range (Tj). The NX6008NBK MOSFETs are used in applications like relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 2NCH 60V .22A 18,889En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.7 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 460 pC - 55 C + 150 C 286 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .27A
191,795Se espera el 02/08/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT363 N-CH 60V .25A
30,593Se espera el 02/18/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel