Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.

Resultados: 236
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX1029X/SOT666/SOT6
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2,159En existencias
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Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V, 50 V 300 mA, 170 mA 1.6 Ohms, 7.5 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 250 pC, 500 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NX1029X/SOT666/SOT6
Hoja de datos
863En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 4,000

Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V, 50 V 330 mA, 170 mA 7.5 Ohms, 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1.1 V 500 pC, 260 pC - 55 C + 150 C 390 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK762R6-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
729En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.97 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 140 nC - 55 C + 175 C 324 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK763R1-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
737En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 114 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK764R4-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
932En existencias
4,000Se espera el 02/08/2027
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Min.: 1
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Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK766R0-60E/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
567En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 75 A 4.58 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 62 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 40A
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949En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 40 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 30.1 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 9.8A
Hoja de datos
3,341En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 9.8 A 97 mOhms, 97 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.5 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 60V 30A
Hoja de datos
41En existencias
1,500Se espera el 02/08/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.6 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K25-40E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
36En existencias
1,500Se espera el 12/21/2026
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 27 A 21.25 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 100V 21.4A
Hoja de datos
1,216En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 100 V 21.4 A 30 mOhms, 30 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 25.9 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R1-30E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
914En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 31.1 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7K5R6-30E/SOT1205/LFPAK56D
Hoja de datos
1,118En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 30 V 40 A 4.76 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 29.7 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1205 2NCH 40V 40A
Hoja de datos
1,289En existencias
4,500Se espera el 02/08/2027
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 32.3 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 56A
Hoja de datos
660En existencias
1,500Se espera el 02/08/2027
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 56 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 6.7 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 42.9A
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2,189En existencias
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Min.: 1
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Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 43 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 19.4 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 35.8A
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1,651En existencias
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 36 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 17.3 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 80V 30A
Hoja de datos
648En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 80 V 30 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 19.5 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 19A
Hoja de datos
1,858En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 19 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 6.2 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 60V 14A
Hoja de datos
61En existencias
1,500Se espera el 11/30/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 60 V 14 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 6.7 nC - 55 C + 175 C 31 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT1210 N-CH 40V 70A
Hoja de datos
99En existencias
1,500Se espera el 11/30/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 28.1 nC - 55 C + 175 C 79 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 53A
Hoja de datos
327En existencias
7,500Se espera el 06/01/2026
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Min.: 1
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Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 60 V 53 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25.41 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 9.4A
Hoja de datos
2,178En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 9.4 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9.4 nC - 55 C + 175 C 37.3 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 75V 35.5A
Hoja de datos
1,366En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 75 V 35.5 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21.2 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 100V 30A
Hoja de datos
1,543En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT LFPAK-56-5 N-Channel 1 Channel 100 V 30 A 24.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 30.9 nC - 55 C + 175 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel