Resultados: 24
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
23,378En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
36,726En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
Hoja de datos
7,819En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 100 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
Hoja de datos
3,497En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 160 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 18A 150mOhm 44.7nC
Hoja de datos
1,632En existencias
36,800En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 44.7 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
4,319En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 91 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Hoja de datos
8,434En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 18 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
4,447En existencias
3,200Se espera el 05/06/2027
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
7,110En existencias
15,000Se espera el 09/10/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 78 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
Hoja de datos
4,250En existencias
6,400Se espera el 08/20/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 62 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 70 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
Hoja de datos
2,961En existencias
3,200Se espera el 08/05/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 45 A 48 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
Hoja de datos
6,036En existencias
20,800Se espera el 01/28/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 24 A 77.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 38 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
Hoja de datos
7,931En existencias
16,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 1 Channel 20 V 22 A 11.7 mOhms - 12 V, 12 V 1.1 V 14 nC - 55 C + 150 C 9.6 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
Hoja de datos
27,329En existencias
21,000Se espera el 02/18/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
3,115En existencias
2,400Se espera el 09/02/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
Hoja de datos
7,855En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 20 V 4.5 A 45 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 3.1 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
Hoja de datos
9,437En existencias
12,000Se espera el 10/01/2026
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 200 V 600 mA 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 3.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
Hoja de datos
4,232En existencias
6,000Se espera el 09/14/2026
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 150 V 900 mA 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 4.5 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC
Hoja de datos
946En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 25 A 72.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 25 nC - 55 C + 175 C 144 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
Hoja de datos
216En existencias
10,000Se espera el 10/22/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 9.3 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 82 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 44A 54mOhm 60nC
Hoja de datos
483En existencias
2,400Se espera el 09/14/2026
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 175 C 320 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
Hoja de datos
25,200En pedido
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 30 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC
Hoja de datos
32,000Se espera el 02/25/2027
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si SMD/SMT PQFN 2x2 (DFN2020) N-Channel 2 Channel 30 V 3.6 A 63 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
Hoja de datos
2,433Se espera el 12/24/2026
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 1.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 580 W Enhancement Tube