Resultados: 8
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
722En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
1,258En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
453En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/80MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
200En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
1,375En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
219En existencias
1,600En pedido
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO263-7
Hoja de datos
405En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 150 mOhms - 25 V, + 25 V 4.4 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement SiC FET
onsemi MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO263-3
Hoja de datos
191En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 41 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET