Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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Resultados: 36

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Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL24N60DM2
STMicroelectronics
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STL24N60DM2

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511-STL24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.195 Ohm typ., 15 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

15 A

195 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD12N50DM2
STMicroelectronics
1: $2.50
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STD12N50DM2

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

500 V

11 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N60DM2
STMicroelectronics
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STD13N60DM2

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

310 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STF24N60DM2
STMicroelectronics
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STF24N60DM2

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

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- 25 V, 25 V

3 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

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STP33N60DM2
STMicroelectronics
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STP33N60DM2

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TO-220-3

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650 V

24 A

130 mOhms

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3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package

STB33N60DM2
STMicroelectronics
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STB33N60DM2

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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650 V

24 A

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43 nC

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190 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STB35N60DM2
STMicroelectronics
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STB35N60DM2

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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600 V

28 A

110 mOhms

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3 V

54 nC

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Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

STF35N60DM2
STMicroelectronics
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STF35N60DM2

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

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+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

STL13N60DM2
STMicroelectronics
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STL13N60DM2

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511-STL13N60DM2

STMicroelectronics

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

350 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

52 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STW43N60DM2
STMicroelectronics
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STW43N60DM2

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511-STW43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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$8.60

$5.00

$3.63

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

250 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD10N60DM2
STMicroelectronics
1: $2.11
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2,098En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD10N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD10N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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$2.11

$1.35

$0.908

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$0.587

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

440 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

109 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STW24N60DM2
STMicroelectronics
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475En existencias

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STW24N60DM2

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511-STW24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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475En existencias

$4.62

$2.41

$1.80

$1.66

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

STF28N60DM2
STMicroelectronics
1: $4.61
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444En existencias

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STF28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packa

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444En existencias

$4.61

$3.02

$2.25

$1.89

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STP24N60DM2
STMicroelectronics
1: $4.19
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835En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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835En existencias

$4.19

$2.04

$1.84

$1.60

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Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD11N60DM2
STMicroelectronics
1: $2.45
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2,581En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD11N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD11N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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$2.45

$1.57

$1.07

$0.853

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

370 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

16.5 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

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STF33N60DM2
STMicroelectronics
1: $5.29
1,000En existencias

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STF33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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$5.29

$2.75

$2.50

$2.07

$2.00

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

STF43N60DM2
STMicroelectronics
1: $7.19
1,578En existencias

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STF43N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF43N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

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1,578En existencias

$7.19

$4.71

$3.47

$3.08

$2.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

34 A

93 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL33N60DM2
STMicroelectronics
1: $5.90
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,380En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

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$5.90

$3.94

$2.83

$2.56

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$2.09

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: 3,000

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

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- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N60DM2
STMicroelectronics
1: $4.80
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STP28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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1,880En existencias

$4.80

$2.47

$2.25

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

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- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP43N60DM2
STMicroelectronics
1: $6.40
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STP43N60DM2

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511-STP43N60DM2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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STW56N65DM2
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STW70N60DM2
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STB28N60DM2
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