RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBTs

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR and RGS30TSX2HR AEC-Q101 Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter use in automotive and industrial applications. The RGS30TSX2DHR and RGS30TSX2HR offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Paquete / Cubierta Estilo de montaje Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje de saturación colector-emisor Máximo voltaje puerta-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
ROHM Semiconductor IGBTs TO247 1200V 15A TRNCH 871En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT 112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube