Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.6A
PMV50XPR
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771-PMV50XPR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.6A
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Si
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SOT-23-3
P-Channel
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20 V
4.4 A
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- 12 V, 12 V
900 mV
7.7 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV33UPE/SOT23/TO-236AB
PMV33UPE,215
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771-PMV33UPE215
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PMV33UPE/SOT23/TO-236AB
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3,000 Se espera el 02/08/2027
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
5.3 A
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- 8 V, 8 V
950 mV
14.7 nC
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+ 150 C
980 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.5A
PMV75UP,215
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771-PMV75UP215
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 2.5A
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Mult.: 1
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.2 A
77 mOhms
- 12 V, 12 V
900 mV
5 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.6A
PMV50XPAR
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771-PMV50XPAR
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 P-CH 20V 3.6A
5,904 Se espera el 02/08/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.6 A
60 mOhms
- 10 V, 10 V
1 V
7.7 nC
- 55 C
+ 150 C
1.096 W
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Reel, Cut Tape, MouseReel