MOSFETs de SiC – Mouser Puerto Rico

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FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC

Los FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC de Qorvo son una serie de alto rendimiento que se destaca en la industria por los valores ofrecen. Los FET SiC Gen 4 de 1200 V UF4C/SC son ideales para arquitecturas de bus de 800 V convencionales en cargadores incorporados para vehículos eléctricos, cargadores de baterías industriales, fuentes de alimentación industriales, energías renovables, almacenamiento de energía, soldadoras, UPS y aplicaciones de calefacción por inducción. Disponible en opciones de 23 mΩ a 70 mΩ, la serie Gen 4 se basa en una configuración en cascodo exclusiva, donde se incluye un transistor JFET SiC de alto rendimiento junto con un transistor Si-MOSFET optimizado por conexión en cascodo para producir un dispositivo estándar de control de compuertas de SiC. Esta función permite un diseño flexible sin cambiar el voltaje del control de compuertas, reemplazando fácilmente a los transistores IGBT de silicio (Si), FET de silicio (Si), FET de carburo de silicio (SiC) o a los dispositivos de súper unión de silicio (Si super-junction).

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Id - Corriente de drenaje continua

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Qg - Carga de puerta

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N.° de pieza

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4

UF4C120070K4S
onsemi
1: $14.26
390En existencias

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UF4C120070K4S

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431-UF4C120070K4S

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MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-4

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390En existencias

$14.26

$9.30

$7.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27.5 A

91 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO24

UF4SC120023K4S
onsemi
1: $26.34
728En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF4SC120023K4S

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431-UF4SC120023K4S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/23MOSICFETG4TO24

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728En existencias

$26.34

$19.78

$19.10

$18.29

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

53 A

29 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-4

UF4C120053K4S
onsemi
1: $16.46
759En existencias

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UF4C120053K4S

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431-UF4C120053K4S

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MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-4

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759En existencias

$16.46

$10.11

$9.54

$9.21

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

67 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

263 W

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO263-7

UF4C120053B7S
onsemi
1: $15.95
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
699En existencias

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UF4C120053B7S

N.º de artículo de Mouser
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Cinta cortada

$15.95

$11.23

$9.48

$9.30

Envase tipo carrete

$8.90

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

53 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO263-7

UF4C120070B7S
onsemi
1: $13.84
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
513En existencias

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UF4C120070B7S

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772-UF4C120070B7S

onsemi

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513En existencias

Cinta cortada

$13.84

$9.67

$7.88

Envase tipo carrete

$7.41

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

25.7 A

72 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/30MOSICFETG4TO26

UF4SC120030B7S
onsemi
1: $21.86
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
646En existencias

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UF4SC120030B7S

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772-UF4SC120030B7S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/30MOSICFETG4TO26

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646En existencias

Cinta cortada

$21.86

$17.22

$14.22

$13.27

Envase tipo carrete

$13.27

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

39 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3

UF4C120053K3S
onsemi
1: $16.18
306En existencias

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UF4C120053K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF4C120053K3S

onsemi

MOSFETs de SiC 1200V/53MOSICFETG4TO247-3

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306En existencias

$16.18

$9.93

$9.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

67 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

263 W

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-3

UF4C120070K3S
onsemi
1: $13.92
315En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF4C120070K3S

N.º de artículo de Mouser
431-UF4C120070K3S

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MOSFETs de SiC 1200V/70MOSICFETG4TO247-3

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Hoja de datos

315En existencias

$13.92

$8.52

$7.52

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

27.5 A

91 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

217 W

SiC FET

MOSFETs de SiC 1200V/30MOSICFETG4TO24

UF4SC120030K4S
onsemi
1: $24.38
2En existencias

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UF4SC120030K4S

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431-UF4SC120030K4S

onsemi

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2En existencias

$24.38

$15.55

$13.93

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

53 A

39 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

341 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC UF4C120053B7S

UF4C120053B7SSR
onsemi
1: $17.40
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200En existencias
Pedido especial de fábrica

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UF4C120053B7SSR

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772-UF4C120053B7SSR

Pedido especial de fábrica

onsemi

MOSFETs de SiC UF4C120053B7S

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$17.40

$13.25

$11.04

Ver

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SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

34 A

53 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

37.8 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC FET

MOSFETs de SiC UF4C120070B7S

UF4C120070B7SSR
onsemi
1: $14.45
200En existencias
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
UF4C120070B7SSR

N.º de artículo de Mouser
772-UF4C120070B7SSR

Pedido especial de fábrica

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200En existencias

$14.45

$11.01

$9.17

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Min.: 1
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SMD/SMT

D2PAK-7

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1 Channel

1.2 kV

25.7 A

72 mOhms

- 20 V, + 20 V

6 V

- 55 C

+ 175 C

183 W

Enhancement

SiC FET

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