2300V Silicon Carbide Power Modules

Wolfspeed 2300V Silicon Carbide Power Modules are a family of 2300V baseplate-less silicon carbide power modules for 1500V VBUS applications. This addition to the Wolfspeed WolfPACK™ family enables solar, energy storage and mega-watt fast EV charging companies to maximize performance while reducing BoM, production, and maintenance costs of the user's systems.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tecnología
Vf - Tensión directa
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Estilo de montaje
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Hoja de datos
270Se espera el 07/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Hoja de datos
53Se espera el 09/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Hoja de datos
54Se espera el 08/28/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 6mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Hoja de datos
54Se espera el 09/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 6mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
Hoja de datos
166Se espera el 09/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C
Wolfspeed Módulos de semiconductores discretos SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial
Hoja de datos
108Se espera el 09/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Half Bridge SiC 5.8 V - 8 V, + 19 V Press Fit - 40 C + 150 C