RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
Hoja de datos
2,320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 80 V 7 A 240 mOhms 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
Hoja de datos
2,400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000
Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 99 mOhms 20 V 2.5 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape