CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.

Resultados: 5
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
Hoja de datos
32En existencias
60Se espera el 04/27/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440224 N-Channel 120 V 12 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Hoja de datos
640En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FETs GaN HEMT
Hoja de datos
350En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
815Se espera el 03/30/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C