Gate Drivers

Diodes Incorporated Gate Drivers cover many applications in power systems and motor drives. These gate drivers act as the interface between the microcontroller and IGBT or MOSFET power switches. Diodes Incorporated gate drivers provide optimum drive characteristics while controlling shoot-through.

Resultados: 271
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 3K
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378En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V 30V PowerDI3333-8 T&R 2K
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779En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V
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141En existencias
15,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, SO-8 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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31En existencias
2,500Se espera el 08/02/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V
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64En existencias
5,000Se espera el 02/17/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1,130En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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22En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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99En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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1,062En existencias
2,000En pedido
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: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS 41V-60V
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56En existencias
2,500Se espera el 10/20/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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531En existencias
5,000Se espera el 01/15/2027
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Máx.: 330
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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46En existencias
850Se espera el 07/16/2027
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Máx.: 200

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A
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3,802En existencias
12,500Se espera el 03/19/2027
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Máx.: 170
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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1,493En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
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1,990En existencias
2,500Se espera el 05/19/2027
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
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2,124En existencias
4,000Se espera el 02/19/2027
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: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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4,145En existencias
2,500Se espera el 10/15/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
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99En existencias
20,000En pedido
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 750
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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54En existencias
2,500Se espera el 12/03/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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2,743En existencias
20,000Se espera el 08/13/2027
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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: 10,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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32En existencias
6,000Se espera el 10/19/2026
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Máx.: 3,000
: 3,000


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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1,769En existencias
2,500Se espera el 02/19/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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Máx.: 360
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
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411En existencias
2,000Se espera el 03/19/2027
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
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: 2,000
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Enh FET 20Vgs 9.5A 1949pF
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2,434En existencias
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 1
: 2,000

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A
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946En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500