Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQD8P10TM
onsemi
1: $1.21
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
16,536En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD8P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD8P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

16,536En existencias

Cinta cortada

$1.21

$0.758

$0.499

$0.388

Envase tipo carrete

$0.312

Ver

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

6.6 A

530 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

FQD19N10LTM
onsemi
1: $1.59
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
30,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD19N10LTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD19N10LTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch QFET Logic Level

Hoja de datos

30,303En existencias

Cinta cortada

$1.59

$1.01

$0.671

$0.527

$0.481

Envase tipo carrete

$0.442

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

15.6 A

100 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

FQD18N20V2TM
onsemi
1: $1.53
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
22,800En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD18N20V2TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD18N20V2TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Ch adv QFET V2 Series

Hoja de datos

22,800En existencias

Cinta cortada

$1.53

$1.07

$0.695

$0.614

$0.585

Envase tipo carrete

$0.585

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

200 V

15 A

140 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

FQB34P10TM
onsemi
1: $3.92
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
4,018En existencias
6,400Se espera el 06/23/2026

N.º de artículo del Fabricante
FQB34P10TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQB34P10TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V P-Channel QFET

Hoja de datos

4,018En existencias

6,400Se espera el 06/23/2026

Cinta cortada

$3.92

$2.58

$1.81

$1.70

Envase tipo carrete

$1.51

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

33.5 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

3.75 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

FQD7P20TM
onsemi
1: $1.65
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
8,849En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FQD7P20TM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD7P20TM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V P-Channel QFET

Hoja de datos

8,849En existencias

Cinta cortada

$1.65

$0.922

$0.733

$0.578

Envase tipo carrete

$0.578

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

200 V

5.7 A

690 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

25 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

FDMC2523P
onsemi
1: $1.94
4,673En existencias
3,000Se espera el 05/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
FDMC2523P

N.º de artículo de Mouser
512-FDMC2523P

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -150V P-Channel QFET

Hoja de datos

4,673En existencias

3,000Se espera el 05/05/2026

Cinta cortada

$1.94

$1.32

$0.99

Envase tipo carrete

$0.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 200

: 3,000

SMD/SMT

Power-33-8

P-Channel

1 Channel

150 V

3 A

1.5 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

9 nC

- 55 C

+ 150 C

42 W

Enhancement

QFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

FQD2N60CTM
onsemi
1: $1.34
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
1,469En existencias
2,500Se espera el 07/07/2026

N.º de artículo del Fabricante
FQD2N60CTM

N.º de artículo de Mouser
512-FQD2N60CTM

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/600V/2A/A.QFET

Hoja de datos

1,469En existencias

2,500Se espera el 07/07/2026

Cinta cortada

$1.34

$0.84

$0.555

Envase tipo carrete

$0.555

MouseReel Disponible

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 230

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

1.9 A

3.6 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

FQPF19N20C
onsemi
1: $2.49
1,431En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
FQPF19N20C

N.º de artículo de Mouser
512-FQPF19N20C

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V N-Channel Advance Q-FET

Hoja de datos

1,431En existencias

3,000En pedido

$2.49

$1.59

$1.10

$0.936

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

19 A

170 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

53 nC

- 55 C

+ 150 C

43 W

Enhancement

QFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

FQAF11N90C
onsemi
1: $5.87
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
279Se espera el 05/04/2026
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
FQAF11N90C

N.º de artículo de Mouser
512-FQAF11N90C

Pedido especial de fábrica

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH/900V/7A/A.QFET

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Hoja de datos

279Se espera el 05/04/2026

$5.87

$3.34

$2.78

Ver

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

900 V

7.2 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

80 nC

- 55 C

+ 150 C

120 W

Enhancement

QFET

Tube

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