BST400D12P4A101

ROHM Semiconductor
755-BST400D12P4A101
BST400D12P4A101

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: Módulos MOSFET
SiC
Press Fit
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
394 A
8.6 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
- 40 C
+ 175 C
1.667 kW
Bulk
Marca: ROHM Semiconductor
Configuración: Dual
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: JP
Tiempo de caída: 42 ns
Producto: Power Module
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 102 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 80
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EcoSiC
Tiempo de retardo de apagado típico: 198 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 119 ns
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USHTS:
8541590080
ECCN:
EAR99

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.

High-Density SiC Power Modules

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