UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor

onsemi UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor exhibits ultra-low on resistance (RDS(on)) in a compact TOLL package. This feature makes it ideal for addressing the challenging thermal and space constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The UJ4N JFET from onsemi uses robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075004L8S
Hoja de datos
2,036En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
371En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube