Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 12 MOHM T6 S08FL SING
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V T6 SL IN 5X6 DUALCOOL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SO8FL 40V 126A 2.8MO
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 5.3 MOHM T6 S08FL SIN
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.0 Ohm 142A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 30V NCH
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V T6 LL IN 5X6 DUALCOOL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-D3F 40V NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 2.9 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AFSM T6 40V SG NCH
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.67 MOHMS LL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6-40V N 0.7 MOHMS SL
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH 6 40V SL NFET
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V HEFET
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