Resultados: 24
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Dual Nc h Id:0.8A, Vdss: 20 2,683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF6-6 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 456 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 8,959En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4.4A 2,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 25.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 24.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 3,720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 1.8 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-4. 8,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UF6-6 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 42.7 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 60V 6A AECQ MOSFET 7,462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 6 A 36 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 9.3 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET 14,692En existencias
36,000Se espera el 05/29/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 100 V 3.5 A 69 mOhms - 20 V, 10 V 2.5 V 3.2 nC - 55 C + 175 C 2.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -6A AECQ MOSFET 90,678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 6 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-5.5A 828En existencias
3,000Se espera el 06/12/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.5 A 29.8 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 12.8 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3A U 6,133En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3 A 103 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Vds:-60 V Vgss:+10/-20V Id: 7,203En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 2 Ohms - 20 V, 10 V 2 V 3 nC + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -30V -6A AECQ MOSFET 5,736En existencias
3,000Se espera el 06/01/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 6 A 42 mOhms - 12 V, 6 V 1.2 V 8.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-30V Vgss:-20/+10V Id:-4A 2,990En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 30 V 4 A 71 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 5.9 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -2A AECQ MOSFET 4,824En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 P-Channel 1 Channel 20 V 2 A 150 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 1.2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -20V -3.9A AECQ MOSFET 8,568En existencias
12,000Se espera el 05/29/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.9 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Id: 4A Vdss: 30V Pd:1W 5,008En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 30 V 4 A 56 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 2.2 nC + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2 5,174En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 20 V 800 mA 57 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 2 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Low RON Nch Io: 0.4A Vdss: 60V Vgss 6,717En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT USM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 700 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -2A AECQ MOSFET 37En existencias
9,000Se espera el 10/30/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 2 A 360 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS Nch I: 0.4A, V: 60V, P: 270mW S-Min 19,158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT S-Mini-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 1.75 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V + 150 C 900 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
108,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 2 V 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-4A S
3,000Se espera el 05/29/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4 A 55 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 10.4 nC + 175 C 2 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS 2 in 1 Dual Nch High ESD protected
4,391Se espera el 08/14/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT US6-6 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V 390 pC + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMOS P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UFM-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 93 mOhms - 8 V, 6 V 1 V 4.7 nC + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel