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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .4A
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8,487En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT23 N-CH 60V .4A
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1,564En existencias
66,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 400 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 380mA Small Signal MOSFET
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78En existencias
9,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT323 N-CH 60V 380MA
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565En existencias
15,000Se espera el 08/31/2026
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: 3,000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 380 mA 680 mOhms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel