CLP24H4S30PXY

Name: Ampleon CLP24H4S30PXY
Brand: Ampleon
SKU: 94-CLP24H4S30PXY
Price: 77.83 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

94-CLP24H4S30PXY

Fabricante N.º:

CLP24H4S30PXY

Fabricante:

Ampleon

Descripción:

GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

CLP24H4S30PXY Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Ampleon CLP24H4S30PXY

En existencias: 82

Existencias:: 82 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$77.83	$77.83
	$64.69	$646.90
	$61.37	$1,534.25
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 100)
	$57.79	$5,779.00
	$57.13	$11,426.00
500	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Ampleon
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	150 V
Id - Corriente de drenaje continua:	774 uA
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 2 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.2 V
Temperatura de trabajo máxima:	+ 225 C
Marca:	Ampleon
Ganancia:	18.4 dB
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	30 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN SiC
Tipo:	RF Power MOSFET

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

CLP24H4S30PXY Hoja de datos (PDF)

Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor

Ampleon CLP24H4S30P GaN-SiC HEMT Power Transistor is a high-efficiency 30W device designed for continuous wave (CW) applications within the 2400MHz to 2500MHz frequency range. Engineered for use in industrial, scientific, medical, and consumer cooking systems, the Ampleon CLP24H4S30P offers excellent power performance and thermal stability. The device features an internally input-matched design and supports broadband operation, minimizing the need for complex external matching circuits. Housed in a compact 7mm x 7mm DFN surface-mount package, the CLP24H4S30P is ideal for compact, high-power RF amplifier designs.