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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC030N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.42
-
2,227En existencias
-
10,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC030N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
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2,227En existencias
10,000En pedido
|
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$4.42
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$2.78
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$2.05
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$1.68
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Ver
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$1.56
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$1.67
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$1.56
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$1.56
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Si
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SMD/SMT
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N-Channel
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1 Channel
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100 V
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179 A
|
3 mOhms
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- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
55 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
208 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.34
-
5,798En existencias
-
15,000Se espera el 12/03/2026
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
5,798En existencias
15,000Se espera el 12/03/2026
|
|
|
$2.34
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$1.51
|
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$1.02
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$0.817
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$0.765
|
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$0.715
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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|
Si
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SMD/SMT
|
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N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
10,411En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
10,411En existencias
|
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|
$1.74
|
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$1.10
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$0.719
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$0.57
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Ver
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$0.429
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$0.506
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$0.463
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$0.429
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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|
Si
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SMD/SMT
|
TDSON-8
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N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.32
-
4,741En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ080N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
4,741En existencias
|
|
|
$2.32
|
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$1.51
|
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$1.07
|
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$0.849
|
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$0.728
|
|
|
Ver
|
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$0.743
|
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$0.694
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
75 A
|
8.04 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
19 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
100 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISZ230N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
9,443En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ230N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
9,443En existencias
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.11
|
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$0.737
|
|
|
$0.581
|
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|
$0.522
|
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$0.474
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
31 A
|
23 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
7.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
48 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC027N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.31
-
13En existencias
-
20,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC027N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
13En existencias
20,000En pedido
Existencias:
13 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
10,000 Se espera el 02/25/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$5.31
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.42
|
|
|
$2.08
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
192 A
|
2.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
58 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
217 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC022N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.95
-
75,610En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC022N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
75,610En pedido
En pedido:
610 Se espera el 08/13/2026
75,000 Se espera el 10/15/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$6.95
|
|
|
$4.55
|
|
|
$3.36
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
230 A
|
2.24 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
73 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
254 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- ISC060N10NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.00
-
19,919En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N10NM6ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
19,919En pedido
En pedido:
4,919 Se espera el 07/02/2026
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
|
$3.00
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
97 A
|
6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.3 V
|
26 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
Reel, Cut Tape
|
|