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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$175.96
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
110En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
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110En existencias
|
|
|
$175.96
|
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$129.07
|
|
|
$129.07
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Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
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N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
110 V
|
1 Ohms
|
1 GHz
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19 dB
|
400 W
|
+ 200 C
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SMD/SMT
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B4E-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$175.96
-
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
20En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20En existencias
|
|
|
$175.96
|
|
|
$129.07
|
|
|
$129.07
|
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
1 Ohms
|
1.6 GHz
|
14 dB
|
180 W
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
$192.64
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 100
Mult.: 100
:
100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
90 V
|
1 Ohms
|
1 MHz
|
18 dB
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250 W
|
+ 200 C
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SMD/SMT
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LBB-5
|
Reel
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|
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36075CF2
- STMicroelectronics
-
1:
$152.25
-
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L36075CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
|
|
|
$152.25
|
|
|
$139.38
|
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|
$132.60
|
Se puede aplicar una tarifa de 40 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
60 V
|
1 Ohms
|
3.5 GHz
|
12.5 dB
|
75 W
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B2-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
Puerto Rico