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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
- A2T08VD020NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$27.44
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-A2T08VD020NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$27.44
|
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$17.98
|
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$15.25
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$14.17
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Ver
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$10.40
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$13.24
|
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$12.46
|
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$11.37
|
|
|
$10.40
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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N-Channel
|
Si
|
64 mA
|
105 V
|
728 MHz to 960 MHz
|
19.1 dB
|
2 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PQFN-24
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT09MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$30.28
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$30.28
|
|
|
$24.86
|
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$23.38
|
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$22.98
|
|
|
Ver
|
|
|
$20.13
|
|
|
$21.97
|
|
|
$21.37
|
|
|
$20.13
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
- MRF6V12250HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$696.63
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12250HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$696.63
|
|
|
$678.46
|
|
|
$678.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
960 MHz to 1.215 GHz
|
20.3 dB
|
275 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
- MRF6V12500HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$945.87
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V12500HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 500 W, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$945.87
|
|
|
$904.30
|
|
|
$904.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
110 V
|
1.215 MHz to 960 MHz
|
19.7 dB
|
500 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780H-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
- MRFE6VP5600HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$430.46
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$430.46
|
|
|
$373.80
|
|
|
$373.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2 A
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
$325.03
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP5600HR6
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$325.03
|
|
|
$280.14
|
|
|
$263.44
|
|
|
$258.49
|
|
|
$245.70
|
|
|
$245.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
150
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
NXP Semiconductors MRF6VP121KHR5
- MRF6VP121KHR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$965.25
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6VP121KHR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 965-1215 MHz, 1000 W, 50 V
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
110 V
|
|
20 dB
|
1 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
Puerto Rico