Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Resultados: 1,486
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,P-CHANNEL -40V, -4.1A,-5.2A 3,509En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 10V Low Leakage Schottky diode 5,354En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V T/R 2,733En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 2,313En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 56En existencias
3,000Se espera el 03/18/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60V 293En existencias
2,000Se espera el 03/09/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 1,281En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 100V 1,474En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 250V 2,214En existencias
2,000Se espera el 04/17/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 200V 196En existencias
2,000Se espera el 03/18/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 450V 943En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 666En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V 2,176En existencias
4,000Se espera el 04/06/2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 200V 1,706En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 60V 3,817En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 100V 2,311En existencias
6,000Se espera el 05/06/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 240V 2,592En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Channel 1,428En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V 565En existencias
9,000Se espera el 03/27/2026
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chnl 250V 555En existencias
10,000En pedido
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Chnl HDMOS 4,521En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Enhancement Mode 880En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V S08 Dual MOSFET 20V VBR 4.5V Gate 3,186En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 2.1A N-Channel Enhancement MOSFET 920En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Chnl UMOS 3,156En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
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