Transistores de potencia de GaN RF Airfast A5Gx
Los transistores de potencia de GaN RF Airfast A5Gx de NXP Semiconductors son transistores de potencia de GaN RF Doherty asimétricos de 85 W y 112 W. Los transistores A5Gx de NXP Semiconductors son ideales para estaciones base celulares que requieren amplios anchos de banda. Se garantiza el rendimiento de los dispositivos dentro del rango de la frecuencia especificada para cada componente, pero no fuera de él.
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