Transistores de potencia de GaN RF Airfast A5Gx

Los transistores de potencia de GaN RF Airfast A5Gx de NXP Semiconductors son transistores de potencia de GaN RF Doherty asimétricos de 85 W y 112 W. Los transistores A5Gx de NXP Semiconductors son ideales para estaciones base celulares que requieren amplios anchos de banda. Se garantiza el rendimiento de los dispositivos dentro del rango de la frecuencia especificada para cada componente, pero no fuera de él.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
158En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C

NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250



NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
48En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C


NXP Semiconductors GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V
Hoja de datos
22En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT OM-780-4S4S-8 125 V - 55 C + 150 C