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DMP21D0UFB-7B

Name: Diodes Incorporated DMP21D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMP21D0UFB-7B
Price: 0.42 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMP21D0UFB-7B

Fabricante N.º:

DMP21D0UFB-7B

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A

Hoja de datos:

DMP21D0UFB-7B Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.42	$0.42
	$0.256	$2.56
	$0.162	$16.20
	$0.121	$60.50
	$0.097	$97.00
	$0.09	$450.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 10000)
	$0.09	$900.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	X1-DFN1006-3
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	20 V
Id - Corriente de drenaje continua:	770 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	960 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	1.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	430 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	18.5 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	DMP21D0UFB
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel, ESD
Tiempo de retardo de apagado típico:	31.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7.1 ns
Peso de la unidad:	43.773 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

DMP21D0UFB 20V P-Channel E-MOSFET

Diodes Incorporated DMP21D0UFB 20V P-Channel E-Mode MOSFET, ideal for power management applications. Designed to minimize the on-state resistance (R_DS(ON)) offering superior switching performance. This MOSFET features low gate threshold voltage, fast switching speed, and 3KV ESD protected gate. The DMP21D0UFB MOSFET comes in a molded plastic case material with a green molding compound. The UL flammability classification rating is 94V-0 and MSL level 1 per J-STD-020D. This MOSFET provides terminals with NiPdAu over the copper lead frame, solderable per MIL-STD-202 (Method 208).