Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM3J355R,LF
Toshiba
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212,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J355R,LF

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757-SSM3J355RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

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SMD/SMT

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1 Channel

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6 A

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- 55 C

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2 W

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3J35CTC,L3F
Toshiba
1: $0.27
89,935En existencias
90,000Se espera el 05/22/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J35CTC,L3F

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757-SSM3J35CTCL3F

Toshiba

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$0.162

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$0.075

Envase tipo carrete

$0.04

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SMD/SMT

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1 Channel

20 V

250 mA

20 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

- 55 C

+ 150 C

100 mW

Enhancement

U-MOSVII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A

SSM6J512NU,LF
Toshiba
1: $0.60
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SSM6J512NU,LF

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757-SSM6J512NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss=-12V, Id=-10A

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$0.60

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$0.238

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Enhancement

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Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A

SSM3J338R,LF
Toshiba
1: $0.53
83,094En existencias
213,000Se espera el 07/03/2026

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SSM3J338R,LF

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757-SSM3J338RLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A

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213,000Se espera el 07/03/2026

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$0.53

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SOT-23F

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1 W

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U-MOSVII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V

SSM3J358R,LF
Toshiba
1: $0.50
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SSM3J358R,LF

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757-SSM3J358RLF

Toshiba

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$0.194

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: 3,000

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P-Channel

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20 V

6 A

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U-MOSVII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

SSM3J35AFS,LF
Toshiba
1: $0.23
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SSM3J35AFS,LF

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757-SSM3J35AFSLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

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$0.23

$0.143

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P-Channel

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20 V

250 mA

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- 55 C

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U-MOSVII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

SSM3J35AMFV,L3F
Toshiba
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16,330En existencias
24,000Se espera el 05/22/2026

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SSM3J35AMFV,L3F

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Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V

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16,330En existencias

24,000Se espera el 05/22/2026

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$0.23

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$0.086

$0.063

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Mult.: 1

: 8,000

SMD/SMT

SOT-723-3

P-Channel

1 Channel

20 V

250 mA

1.1 Ohms

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1 V

- 55 C

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500 mW

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U-MOSVII

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:+/-10V Id:-0.7A

SSM3J65CTC,L3F
Toshiba
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SSM3J65CTC,L3F

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757-SSM3J65CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:+/-10V Id:-0.7A

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19,921En existencias

Cinta cortada

$0.44

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$0.073

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: 10,000

SMD/SMT

CST3C-3

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20 V

700 mA

500 mOhms

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500 mW

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A

SSM3J64CTC,L3F
Toshiba
1: $0.44
10,860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J64CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J64CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-12V Vgss:+/-10V Id:-1A

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$0.44

$0.269

$0.17

$0.127

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$0.073

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Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3C-3

P-Channel

1 Channel

12 V

1 A

370 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A

SSM6P35AFE,LF
Toshiba
1: $0.38
3,850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P35AFE,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P35AFELF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A

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3,850En existencias

Cinta cortada

$0.38

$0.23

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$0.108

Envase tipo carrete

$0.069

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

SOT-563-6

P-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.4 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

+ 150 C

250 mW

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

SSM6J511NU,LF
Toshiba
1: $0.62
20,000Se espera el 07/03/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J511NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J511NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-signal MOSFET Power MGMT switch

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20,000Se espera el 07/03/2026

Cinta cortada

$0.62

$0.382

$0.245

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Envase tipo carrete

$0.136

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

1 Channel

12 V

14 A

6.5 mOhms

- 10 V, 10 V

1 V

47 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 W

Enhancement

U-MOSVII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A

SSM6P35AFU,LF
Toshiba
1: $0.44
5,990Se espera el 08/19/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P35AFU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P35AFULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch x 2 Vdss:-20V Vgss:V Id:-0.25A

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5,990Se espera el 08/19/2026

Cinta cortada

$0.44

$0.267

$0.169

$0.126

Envase tipo carrete

$0.091

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

SOT-363-6

P-Channel

2 Channel

20 V

250 mA

1.4 Ohms

- 10 V, 10 V

1 V

+ 150 C

285 mW

Enhancement

U-MOSVII

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