Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in I2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAK package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package
Hoja de datos
No en existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 1.26Ohm typ. 3.7A MDmesh M2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 2,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.037Ohm 58A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3