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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
Hoja de datos
63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 30 V 2.5 V 3 mA 350 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 30 V 2.5 V 3 mA 350 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Reel