Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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3.2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

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Enhancement

OptiMOS

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ISC034N08NM7ATMA1
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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

122 A

3.4 mOhms

20 V

3.2 V

34 nC

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+ 175 C

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

430 A

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1.7 V

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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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422 A

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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1 Channel

25 V

406 A

540 uOhms

16 V

2 V

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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338 A

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16 V

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
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1: $2.64
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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N-Channel

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282 A

800 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.49
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH84NE2LM7UCGA

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SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

275 A

840 uOhms

16 V

2 V

17.2 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.88
5,359En existencias
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ISC019N08NM7ATMA1

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726-ISC019N08NM7ATMA

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

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