Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
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PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

167 A

2.4 mOhms

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC034N08NM7ATMA1
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Enhancement

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ISC040N10NM7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH46NE2LM7ZCGSCATMA1
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1 Channel

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
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25 V

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IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
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25 V

422 A

500 uOhms

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+ 175 C

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IQEH54NE2LM7UCGATMA1
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25 V

406 A

540 uOhms

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2 V

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- 55 C

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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1
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298 A

500 uOhms

16 V

2 V

27 nC

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IQEH68NE2LM7UCGATMA1
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IQEH68NE2LM7UCGATMA1

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338 A

680 uOhms

16 V

2 V

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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
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1: $2.74
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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726-IQEH80NE2LM7UCGS

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282 A

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16 V

2 V

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Reel, Cut Tape

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IQEH84NE2LM7UCGATMA1
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1: $2.57
4,472En existencias
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

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726-IQEH84NE2LM7UCGA

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$0.774

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275 A

840 uOhms

16 V

2 V

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ISC019N08NM7ATMA1
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ISC019N08NM7ATMA1

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726-ISC019N08NM7ATMA

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

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$1.40

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SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

209 A

1.9 mOhms

20 V

3.2 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

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Reel, Cut Tape

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

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