Resultados: 15
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Modo canal
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 785En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,547En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 124En existencias
800Se espera el 08/31/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1,021En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 786En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Hoja de datos
1,560En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 572En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor MOSFETs de SiC 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1,695En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement