NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module

onsemi NXH006P120MNF2PTG Half-Bridge SiC Module features two 6mΩ 1200V SiC MOSFET switches and a thermistor in an F2 package. The SiC MOSFET switches use M1 technology and are driven with an 18V to 20V gate drive. The NXH006P120MNF2 module provides improved reliability from planar technology and low die thermal resistance. Typical applications include DC-AC conversion, DC-DC conversion, energy storage systems, UPS, AC-DC conversion, electric vehicle charging stations, and solar inverters.

Resultados: 2
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado


onsemi Módulos MOSFET PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
Hoja de datos
44En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit - 15 V, + 25 V - 40 C + 150 C NXH006P120MNF2 Tray
onsemi Módulos MOSFET 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Hoja de datos
12En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 N-Channel 1.2 kV 191 A 8 mOhms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 556 W NXH006P120M3F2PTHG Tray