High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
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2,747En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
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290En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
281En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Hoja de datos
121En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Hoja de datos
297En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Hoja de datos
124En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Hoja de datos
277En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Hoja de datos
445En existencias
660En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Hoja de datos
199En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Hoja de datos
1,275Se espera el 06/22/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 300
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IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 300
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IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 300
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 80 Semanas
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
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IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 54 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3