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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nexperia GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
Hoja de datos
536En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121
Hoja de datos
694En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement