Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

IRFS3306TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.11
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3306TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3306TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg

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$4.11

$2.68

$1.95

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$1.51

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

160 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

85 nC

- 55 C

+ 175 C

230 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.74
1,155En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3006TRLPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3006TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg

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Cinta cortada

$4.74

$3.10

$2.32

$2.09

Envase tipo carrete

$2.09

$1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

IRLS3036TRL7PP
Infineon Technologies
1: $4.30
850En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRL7PP

N.º de artículo de Mouser
942-IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7

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850En existencias

Cinta cortada

$4.30

$3.13

$2.20

$1.76

Envase tipo carrete

$1.63

$1.54

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-7

N-Channel

1 Channel

60 V

300 A

1.9 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLS3036TRLPBF
Infineon Technologies
1: $4.93
Se puede aplicar una tarifa de 8 % si el envío es a los Estados Unidos.
3,124En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IRLS3036TRLPBF

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942-IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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$4.93

$3.23

$2.41

$2.02

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$1.87

$1.77

MouseReel Disponible

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Min.: 1
Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

270 A

2.4 mOhms

- 16 V, 16 V

2.5 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

IRFS3006TRL7PP
Infineon Technologies
1: $6.72
593En existencias
NRND

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IRFS3006TRL7PP

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942-IRFS3006TRL7PP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg

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Cinta cortada

$6.72

$4.40

$3.24

$2.88

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$2.56

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

293 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.8 V

200 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

IRFS3206TRRPBF
Infineon Technologies
1: $3.88
1,897En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IRFS3206TRRPBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRFS3206TRRPBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg

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1,897En pedido

Cinta cortada

$3.88

$2.53

$1.85

$1.55

Envase tipo carrete

$1.35

MouseReel Disponible

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Mult.: 1

: 800

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

210 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

120 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

IRLB3036PBF
Infineon Technologies
1: $5.52
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2,980Se espera el 03/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
IRLB3036PBF

N.º de artículo de Mouser
942-IRLB3036PBF

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl

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2,980Se espera el 03/04/2027

$5.52

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

60 V

195 A

2.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.8 V

140 nC

- 55 C

+ 175 C

380 W

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