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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg
Hoja de datos
1,243En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.8 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
Hoja de datos
982En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7
Hoja de datos
1,289En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT TO-252-7 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.9 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
Hoja de datos
3,737En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 210 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 370A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Hoja de datos
955En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.8 mOhms - 16 V, 16 V 1.8 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl
Hoja de datos
5,905En existencias
MouseReel Disponible
Se puede aplicar una tarifa de 56 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 270 A 2.4 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 140 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg
Hoja de datos
901En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 160 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 85 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
Hoja de datos
1,990En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 84 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 86 nC - 55 C + 175 C 140 W Enhancement Tube