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QPD1009

Name: Qorvo QPD1009
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1009
Price: 67.62 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD1009

Fabricante N.º:

QPD1009

Fabricante:

Qorvo

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-16
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	50 V
Id - Corriente de drenaje continua:	700 mA
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	- 2.8 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Dp - Disipación de potencia :	17.5 W
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD1009-EVB1
Ganancia:	24 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	0 Hz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	17 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD1009
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	145 V
Peso de la unidad:	5.756 g