Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLT1G
onsemi
1: $4.35
8,807En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NLT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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Cinta cortada

$4.35

$2.76

$2.11

$1.80

$1.70

Envase tipo carrete

$1.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

NVMFS5C420NLWFT1G
onsemi
1: $4.73
10,243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NLWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-VMFS5C420NLWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V LL

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10,243En existencias

Cinta cortada

$4.73

$2.94

$2.24

$1.93

$1.82

Envase tipo carrete

$1.82

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

40 V

277 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

100 nC

- 55 C

+ 175 C

146 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

NVBLS0D5N04CTXG
onsemi
1: $10.34
864En existencias

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NVBLS0D5N04CTXG

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS0D5N04CTXG

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 0.5 MOHMS MAX

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864En existencias

Cinta cortada

$10.34

$7.14

$5.43

$5.42

$5.24

Envase tipo carrete

$5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

40 V

300 A

570 uOhms

- 20 V, 20 V

4 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

198.4 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ2
onsemi
1: $28.07
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
144En existencias

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NXV65HR82DZ2

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863-NXV65HR82DZ2

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

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144En existencias

$28.07

$25.22

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NT1G
onsemi
1: $4.54
1,447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NT1G

onsemi

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1,447En existencias

Cinta cortada

$4.54

$2.93

$2.11

$1.80

$1.68

Envase tipo carrete

$1.68

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DZ1
onsemi
1: $29.13
Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.
67En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DZ1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DZ1

onsemi

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67En existencias

$29.13

$26.36

Se puede aplicar una tarifa de 10 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS2
onsemi
1: $35.06
Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS2

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS2

onsemi

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144En existencias

$35.06

$25.40

$25.04

Se puede aplicar una tarifa de 17 % si el envío es a los Estados Unidos.

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

APMCA-16

N-Channel

4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

NVMFS5C420NWFT1G
onsemi
1: $4.79
749En existencias

N.º de artículo del Fabricante
NVMFS5C420NWFT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NVMFS5C420NWFT1G

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 40V SG

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749En existencias

Cinta cortada

$4.79

$3.16

$2.24

$1.93

$1.81

Envase tipo carrete

$1.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,500

SMD/SMT

SO-8FL-4

N-Channel

1 Channel

40 V

268 A

1.1 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

82 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

NVBLS4D0N15MC
onsemi
1: $12.65
2,000Se espera el 10/16/2026

N.º de artículo del Fabricante
NVBLS4D0N15MC

N.º de artículo de Mouser
863-NVBLS4D0N15MC

onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR AUTOMOTIVE

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2,000Se espera el 10/16/2026

Cinta cortada

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$9.15

$7.63

$6.80

$6.38

Envase tipo carrete

$6.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

TO-LL8-8

N-Channel

1 Channel

150 V

187 A

4.4 mOhms

- 20 V, 20 V

4.5 V

90.4 nC

- 55 C

+ 175 C

316 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive Power Module, H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phaseshifted DC-DC

NXV65HR82DS1
onsemi
1: $34.24
288Existencias en fábrica disponibles

N.º de artículo del Fabricante
NXV65HR82DS1

N.º de artículo de Mouser
863-NXV65HR82DS1

onsemi

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$34.24

$26.51

$26.17

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APMCA-16

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4 Channel

650 V

26 A

82 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

79.7 nC

- 40 C

+ 125 C

126 W

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