NVMFS6H824NLT1G & NVTFS6H888NLTAG Power MOSFETs

onsemi NVMFS6H824NLT1G and NVTFS6H888NLTAG MOSFETs Automotive Power MOSFETs are AEC-Q101 qualified and come in a small footprint flat lead DFN5 package for compact designs. These onsemi devices offer low QG and capacitance to minimize driver losses and low RDS(on) to reduce conduction losses. Wettable flank options (NVMFS6H824NLWF and NVTFS6H888NLWF in a WDFN8 package) provide enhanced optical inspection. Typical applications include switching power supplies, motor control, power switches (high-/low-side drivers and H-bridges), 48V systems, DC/DC converters, and load switches.

Resultados: 4
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80V, 110A, 4 mohm, Single N-Channel
Hoja de datos
4,898En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 80 V 110 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 52 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET 80V, 110A, 4 mohm, Single N-Channel Wettable flank
Hoja de datos
1,410En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT SO-8FL-4 Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Channel Power MOSFET 80V, 13A, 50mohm, Logic Level WDFN8 (Pb?Free)
Hoja de datos
1,340En existencias
3,000Se espera el 02/17/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 N-Channel 1 Channel 80 V 14 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 175 C 23 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T8 80V LL U8FL
Hoja de datos
1,480En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,500

Si SMD/SMT WDFN-8 Reel, Cut Tape