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MRFE6VS25GN-960

Name: NXP MRFE6VS25GN-960
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRFE6VS25GN-960
Price: 1469.99 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-MRFE6VS25GN-960

Fabricante N.º:

MRFE6VS25GN-960

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Herramientas de desarrollo RF MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit

Hoja de datos:

MRFE6VS25GN-960 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo RF
RoHS:
Producto:	Reference Design Boards
Tipo:	RF Transistor
La Herramienta es para la Evaluación de :	MRFE6VS25N
Frecuencia:	960 MHz to 1.215 GHz
Marca:	NXP Semiconductors
Voltaje de alimentación operativo:	50 V
Tipo de producto:	RF Development Tools
Serie:	MRFE6VS25N
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Peso de la unidad:	453.592 g

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 9030908050
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

RF Reference Circuits

NXP Semiconductors RF Reference Circuits are ease of use solutions designed to accelerate prototyping RF applications for faster time to market. These compact reference circuits offer design reuse across frequencies using the same PCB layout, enabling RF designers to quickly generate new power amplifier designs for multiple frequencies.

MRFE6VS25GN Reference Circuit

NXP Semiconductors MRFE6VS25GN Reference Circuit is designed to allow rapid evaluation and prototyping of the MRFE6VS25 RF Power LDMOS Transistor. The MRFE6VS25 is designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast, and aerospace applications operating at frequencies from 1.8MHz to 2000MHz. These devices are fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications with high VSWRs.