IRF100B201

Infineon Technologies
942-IRF100B201
IRF100B201

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, 100V, 192A 4.2 mOhm, 170 nC Qg

Modelo ECAD:
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Existencias:
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En pedido:
4,000
Se espera el 06/01/2026
Plazo de entrega de fábrica:
26
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.95 $2.95
$1.54 $15.40
$1.39 $139.00
$1.12 $560.00
$1.03 $1,030.00
$0.997 $4,985.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
192 A
4.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
StrongIRFET
Tube
Marca: Infineon Technologies
Configuración: Single
País de ensamblaje: CN
País de difusión: MY
País de origen: MY
Tiempo de caída: 100 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 278 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 97 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 110 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Peso de la unidad: 2 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99