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STGWT28IH125DF

Name: STMicroelectronics STGWT28IH125DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT28IH125DF
Price: 1.6 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

511-STGWT28IH125DF

Fabricante N.º:

STGWT28IH125DF

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

IGBTs 1250V 25A trench gte field-stop IGBT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-3P-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.25 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.65 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	- 20 V, 20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	60 A
Dp - Disipación de potencia :	375 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STGWT28IH125DF
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Máx. corriente continua Ic del colector:	30 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	250 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	300
Subcategoría:	IGBTs
Peso de la unidad:	7 g

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PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBT

STMicroelectronics STGWT28IH125DF Trench Gate Field-Stop IGBTs feature an advanced proprietary trench gate field-stop structure. Performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. STMicroelectronics STGWT28IH125DF IGBTs maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.