Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 9,119En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 12.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 8,852En existencias
Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 3,762En existencias
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: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 7.2 mOhms, 7.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS 1,571En existencias
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: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 17 nC - 55 C + 175 C 51 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS 2,205En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 12 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 1,459En existencias
Min.: 1
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: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 50 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 92En existencias
20,000En pedido
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 11.6 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
29,706En pedido
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 60 V 20 A 26 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 175 C 33 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
10,000En pedido
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 55 V 20 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 1.6 V 23 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel