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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 280A, TO-263AB, Power MOSFET
Hoja de datos
640En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 40 V 280 A 1.43 mOhms 20 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 240A, TO-263AB, Power MOSFET
Hoja de datos
176En existencias
800Se espera el 07/15/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT TO-263AB-3 N-Channel 1 Channel 60 V 240 A 1.85 mOhms 20 V 2.5 V 160 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape