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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-220F
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Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Mult.: 1

Si Through Hole TO-220F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12.3 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement Bulk
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET,TO-220AB(H)
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1,941En existencias
Se puede aplicar una tarifa de 70 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17.9 A 193 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 30 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Bulk